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士兰微SVF65R950CMJ/Q (TO-251插件)/D(TO-252贴片)

士兰微SVF65R950CMJ/Q (TO-251插件)/D(TO-252贴片)

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有电生活
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士兰微SVF65R950CMJ/Q (TO-251插件)/D(TO-252贴片)详情:






士兰微SVF65R950CMJ/Q/D沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

产品特色

(1)芯片:士兰微SVF65R950CMJ/Q/D芯片采用平底元胞设计,提高了器件击穿电压;更小尺寸的GR环,提高了器件可靠性;开关速度和EAS能力也有所提高。整体性能与ST的SuperMesh,Fairchild的UniFet技术类似。
(2)封装: 士兰微依托先进的工艺技术将Rdson 0.85欧的高压Mosfet芯片封进TO-251/TO-252封装里面。
(3)性能:此颗料号成功避免了使用Coolmos 的EMI困扰难题,同时减少外围器件,使整个PCB板布局紧凑。
(4)价格:相比TO-262,TO-263, TO-220F等其他封装,SVF65R950CMJ/Q/D这个封装成本具有价格优势,更具备市场竞争力。
 
有电生活评价:

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